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英文字典中文字典相关资料:

什么是「服务型」游戏（GaaS）？ - 知乎
GaaS（服务型游戏）其实并不算一个新鲜概念，本意指的是一种游戏商业模式：在产品本体上线后，在后续的运营中不断推出更新内容，刺激玩家一直游玩并消费，将游戏从传统的「一次性买断制产品」变成「一项可以持续满足玩家需求的服务」。
什么是「服务型」游戏（GaaS）？ - 知乎
Gaas游戏团队规模做Gaas游戏的公司，在团队架构和工作模式上，与传统单机游戏有很大不同。单机游戏的开发团队规模通常比较小，一般在10到50人之间。这些团队各司其职，组成成员包括程序员、设计师、艺术家、项目经理以及QA。
GaN与GaAs芯片各自的优缺点是什么呢？ - 知乎
GaAs前景依然 GaAs供应链调研显示，IDM、Epihouse（外延公司）和代工厂在2021第1季度报告了强劲的收入，直接反映了市场动态。随着5G手机从2020第4季度在智能手机市场的渗透不断增加，GaAs射频市场受到强劲拉动，特别是在中国，其次是亚洲、北美和欧洲。
半导体的直接带隙和间接带隙区别是什么？ - 知乎
‌半导体的直接带隙和间接带隙的主要区别在于电子跃迁时动量的变化情况。在直接带隙半导体中，价带的极大值和导带的极小值都位于k空间的原点，电子跃迁到导带时，只需要吸收能量而不需要改变动量，这种跃迁称为直接跃迁。代表材料包括 GaAs 、 GaN 和 ZnO ‌。直接带隙半导体的一个重要
可以介绍下2DEG的原理吗？ - 知乎
带隙工程和能带弯曲：在半导体异质结中，例如GaAs和AlGaAs之间的界面，由于能带结构的不同，电子会从导带较高的材料（如AlGaAs）转移到导带较低的材料（如GaAs），形成一个二维电子气。这种现象可以通过掺杂来进一步增强。 PPT - What is nanoscience and nanotechnology?
异质结导致的二维电子气为什么可以显著提高迁移率？ - 知乎
异质结分为同型异质结（NN或PP结）和异型异质结（NP型）。这里以调制掺杂的异质结为例回答题主的问题。如下图，为交替生长的AlGaAs和GaAs薄层能带示意图，在宽带隙的AlGaAs中掺以施主杂质，而在GaAs层中不掺杂。宽带隙的AlGaAs中电子将向窄带隙的GaAs移动，以便两者的费米能级能达到同一水平。
GaAs衬底，在通过溅射TiPtAu制备 N面欧姆电极后，在显微镜下发现N面有大小不一的黑点，为什么？ - 知乎
金属-半导体界面反应：某些金属层（如镀金层）与GaAs在高温或非理想条件下，可能发生反应，生成非导电或黑色的化合物或相沉积。影响：生成的反应产物（如Ga-或As-rich相、氧化物）可能在显微镜下显示为黑点。非均一反应导致黑点大小差异。 3 表面氧化和
请问cmos与mmic的关系? - 知乎
图片来源：Yole 1 GaAs工艺时代（1990-2007） 2007年之前，射频部分无法使用硅材料制做，主要采用砷化镓（GaAs）。砷化镓工艺的材料成本和制造成本都比较高，对于生产线的要求也很高。同时，采用GaAs工艺制作的产品集成度也很低，成本非常高。
知乎盐选 | 10. 7 不同材料系的 LED
GaAs 与 GaP 的晶格失配达到了 3 6%，当 GaAsP 外延层超过临界厚度时，在界面处就会产生许多失配位错，使发光效率降低。采用较厚的 GaAsP 缓冲层，可以降低失配位错而减少位错密度，但也不能达到 GaAs 衬底的低位错水平，失配位错仍然很大。
一文读懂ICP刻蚀技术
对于化学作用较强的工艺，如 GaAs 的刻蚀，气压较大时因为活性基和离子密度增加，刻蚀速率和选择比会有较大增加。而对物理作用较强的工艺，如 SiO2 的刻蚀，气压增加时刻饨速率变化不大。 (4)气体成分和流量等离子体刻蚀中经常使用含多种成分的混合气体。

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