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英文字典中文字典相关资料:


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    栅极氧化层较厚的高压设备，它的阈值电压Vth一般为2-4V；栅极氧化层较薄的低压、逻辑兼容型设备，它的阈值电压Vth一般为1-2V。随着功率MOSFET越来越多地用于便携式电子设备和无线通讯，而电池的成本又非常高，因此
  • MOSFET 的线性区和饱和区的分界点为什么是Vds=Vgs-开启 . . .
    沟道夹断模型认为当Vds>=Vgs-Vth 时，Vgd小于Vth，漏端已经不能形成反型层，沟道在漏端发生夹断。由于夹断区场强很大，所以虽然没有沟道依然会把沟道里的载流子强行拉过耗尽区进入漏极。此时额外的Vds电压全部落在夹断
  • 在MOSFET晶圆测试中，为什么低Vth（阈值电压）会导致高 . . .
    MOSFET阈值电压测试方法 对于功率MOSFET,通常在250uA的漏源电流下测量。Vth主要取决于栅极氧化层厚度和沟道掺杂浓度。不同的厂家定义Vth参数的测试条件略有不同，有的厂家会固定漏极电压，扫描栅源电压，当漏极电流
  • How to set Vth (voltage threshold) for MOSFET?
    specific MOSFET Vth) I use pectre Does the "alter" command allow me to tweak specific device Vth ? I know how to modift the MODEL Vth, but it will be common to all devices I want to avoid adding a parametric Vdc to the
  • 怎么提取mos器件的阈值电压？ - 知乎
    知乎，中文互联网高质量的问答社区和创作者聚集的原创内容平台，于 2011 年 1 月正式上线，以「让人们更好的分享知识、经验和见解，找到自己的解答」为品牌使命。知乎凭借认真、专业、友善的社区氛围、独特的产品机制以及结构化和易获得的优质内容，聚集了中文互联网科技、商业、影视
  • 为什么MOS管是以VGS大于VTH作为导通与否的判断依据而不 . . .
    与体二极管延伸到漂移区的耗尽区相关的电容表示为\(C_{DB}\)，它出现在双极结型晶体管（BJT）的基极和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的漏极之间。当漏源两端出现电压斜坡时，这个电容会导致电流\(I_2\)流过基极
  • Precise Vth extraction of MOS - Cadence Design Systems
    Hi Nicola, As far as I know, this does not alter the behaviour of the transistor model itself - it's just the computation of the vth operating parameter (this seems to concur with some experiments I just performed - the transient response remains the same, all the currents remain the same, the switching threshold of a transistor remains the same)
  • 只要门极驱动电压大于这个阈值V(GS)th，Mosfet被认为是 . . .
    不同的厂商采用的测试电流可能并不相同，但一般是这个数量级范围内。而对于功率Mosfet，实际工作的电流显然要比这个测试电流大很多，一般要达到几安培到几十安培，有的甚至更高，因此这样的驱动电压是不足于让Mosfet完全导通的。
  • Plotting Vth - RF Design - Cadence Technology Forums . . .
    So, I included all four MOSes in scs file to save the Vth Here are some of the observations and queries: 1 When I do Transient analysis, I opened the results browser -> tran-tran I found only two MOSes in that list But when I
  • 从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解 - 知乎
    我们先来研究一下MOSFET如何进行导通的。首先，它和三极管一样，也有一个导通阈值。在模电里面，阈值的概念是必须要理解的。也就是说，任何器件的导通和关断都要有一定的电压，对应的就是…





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